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「フラッシュメモリデバイス開発(NAND型・NOR型)」の求人案内です。
仕事:フラッシュメモリデバイス(メモリセル、トランジスタ、デバイス構造)設計業務
フラッシュメモリ製品技術(事業戦略、開発マネジメント、テスト方法や信頼性の確立)業務
フラッシュメモリ製品及びテストデバイス試作業務(開発ライン及び工場パイロットライン)
経験:半導体メモリのデバイス開発、製品開発業務経験3年以上、またはフラッシュメモリ製品開発経験1年以上の方。
半導体デバイス開発(トランジスタ開発)を経験された方。
メモリ製品やテストデバイスの試作、評価を経験されている方。
半導体デバイスに関する専門性を有する方。
勤務地:神奈川県横浜市/三重県四日市市
詳しくは:東芝 セミコンダクター社の転職情報へ
その他の転職情報は:東芝(toshiba)の転職求人情報へ
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- 2008-03-26
- 半導体
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