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先端NANDフラッシュメモリ開発：大手メーカーの求人
エネルギー・電力やデジタル家電さらに半導体までの大手総合メーカーから
「先端NANDフラッシュメモリ開発」の求人案内です。
「先端NANDフラッシュメモリ開発」の求人案内です。
仕事：
TCADを用いた先端フラッシュメモリのプロセス/デバイス設計（メモリセル、トランジスタ）
経験：
●半導体プロセス/デバイス設計、または、プロセス/デバイス・シミュレーションの経験のある方。
●物理、電磁気学の知識は必須
●物理、特にMOS物理（トラップや絶縁膜）に詳しい方であればさらに望ましい。
勤務地：
神奈川県横浜市
その他の転職情報は：
東芝（TOSHIBA）の転職求人情報へ
詳しくは：
東芝セミコンダクター社の転職情報へ
TCADを用いた先端フラッシュメモリのプロセス/デバイス設計（メモリセル、トランジスタ）
経験：
●半導体プロセス/デバイス設計、または、プロセス/デバイス・シミュレーションの経験のある方。
●物理、電磁気学の知識は必須
●物理、特にMOS物理（トラップや絶縁膜）に詳しい方であればさらに望ましい。
勤務地：
神奈川県横浜市
その他の転職情報は：
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詳しくは：
東芝セミコンダクター社の転職情報へ
